SiC晶体的切片方法有：砂浆线切割、金刚线切割，以及激光隐切。其中，激光隐切技术将高能量脉冲激光束聚焦在SiC晶体内部，在设定深度处形成微小裂纹，然后通过面内扫描形成一个裂纹层，最后沿着该裂纹层剥离出晶片。与传统线切割方法相比，激光隐切具有剥离速度快，切割损耗低，可切割超薄晶片，以及切割成本低等优点。随着SiC晶锭尺寸变大，尤其是8寸和12寸，激光隐切技术在SiC晶片加工中的优势更为明显。